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電路防護
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二極管和小信號晶體管
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射頻&無線
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產品通用篩選
Plateform
請選擇
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確定
Package
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確定
N/P
請選擇
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確定
VDSS(V)
請選擇
-
確定
ID(A)
請選擇
確定
已選
清空篩選
- 商品圖片
- P/N
- Plateform
- Configuration
- Package
- N/P
- VDSS(V)
- VGS(V)
- ID(A)
- VGS(th) Min
- VGS(th) Max
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
- CM3236W
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package SOT-323
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±10
- ID(A) 1.4
- VGS(th) Min 0.4
- VGS(th) Max 1.1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 123
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 147
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 130
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 156
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 143
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 186
-
加入對比
-
- CM2305TW
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±10
- ID(A) -4
- VGS(th) Min -0.5
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 34
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 44
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 46
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 64
-
加入對比
-
- CM2312J
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P N
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±10
- ID(A) 6.1
- VGS(th) Min 0.5
- VGS(th) Max 1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 17
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 21
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 20
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 27
-
加入對比
-
- CM2302BH
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P N
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±10
- ID(A) 3.4
- VGS(th) Min 0.45
- VGS(th) Max 1.1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 34.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 45
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 46
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 57
-
加入對比
-
- CM1201
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package DFN1.2*1.2-3L
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±10
- ID(A) -0.5
- VGS(th) Min -0.35
- VGS(th) Max -1.2
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 610
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 850
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 930
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 1200
-
加入對比
-
- CM3134TK
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package SOT-723
- N/P N
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±10
- ID(A) 0.8
- VGS(th) Min 0.35
- VGS(th) Max 1.1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 190
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 250
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 275
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 358
-
加入對比
-
- CM3139TK
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package SOT-723
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±10
- ID(A) -0.5
- VGS(th) Min -0.35
- VGS(th) Max -1.2
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 610
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 850
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 930
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 1200
-
加入對比
-
- CMN3004TRF3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 61
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.8
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4.7
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 6
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 7.8
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入對比
-
- CMP3009TF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -72
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 5.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 8
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 11.4
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入對比
-
- CMN3002TF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 145
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1.7
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.2
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入對比
-
- CMN2004F3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±12
- ID(A) 50
- VGS(th) Min 0.5
- VGS(th) Max 1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 3.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 4.6
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 4.2
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 5.5
-
加入對比
-
- CMN2002F3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±12
- ID(A) 69
- VGS(th) Min 0.6
- VGS(th) Max 1.3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 2.2
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 2.8
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 3
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 3.9
-
加入對比
-
- CMP6021S8
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SO-8
- N/P P
- VDSS(V) -60
- VGS(V) ±20
- ID(A) -8.2
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 19
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 23
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 20
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 26
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入對比
-
- CMP4031S8
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SO-8
- N/P P
- VDSS(V) -40
- VGS(V) ±20
- ID(A) -6.8
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 28
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 33.6
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 43.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 57
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入對比
-
- CMN3003GF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 133
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.6
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 2.3
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 3
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入對比
-
- CMN3004AF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 74
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.4
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4.2
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 4.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 6
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入對比
-
- CMN3026S8D
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SO-8
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 5.8
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 28
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 35
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 41
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 53
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入對比
-
- CMN3022S8D
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SO-8
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 7.2
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 20
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 24
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 23
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 30
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入對比
-
- CM2305N
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±12
- ID(A) -4
- VGS(th) Min -0.4
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 45
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 55
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 55
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 75
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加入對比
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- CM2302ANJ
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P N
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±10
- ID(A) 5.8
- VGS(th) Min 0.5
- VGS(th) Max 1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 21
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 27
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 29
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 37
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