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1001
產品描述
Plateform:
Trench MOSFET
Configuration:
Single-ESD
Package:
DFN1.2*1.2-3L
N/P:
P
VDSS(V):
-20
VGS(V):
±10
ID(A):
-0.5
VGS(th) Min:
-0.35
VGS(th) Max:
-1.2
Rdson @VGS10V Typ(mΩ):
Rdson @VGS10V Max(mΩ):
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ):
610
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ):
850
Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ):
930
Rdson @VGS2.5V Max(mΩ):
1200
